دیتاشیت 40N06
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
40N06
|
حجم فایل |
919.411
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 40N06
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
105W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
50nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2928pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
50A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
18mΩ@30A,10V
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.)